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  • [6]
    2018 | Zeitschriftenaufsatz | Veröffentlicht | PUB-ID: 2919303
    Niesen A, Teichert N, Matalla-Wagner T, et al. Structural, magnetic, and electrical properties of perpendicularly magnetized Mn4-xFexGe thin films. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2018;123(11): 8.
    PUB | DOI | WoS
     
  • [5]
    2017 | Zeitschriftenaufsatz | Veröffentlicht | PUB-ID: 2914670 OA
    Hirohata A, Huminiuc T, Sinclair J, et al. Development of antiferromagnetic Heusler alloys for the replacement of iridium as a critically raw material. Journal of Physics. D: Applied Physics. 2017;50(44): 443001.
    PUB | PDF | DOI | WoS
     
  • [4]
    2017 | Bielefelder E-Dissertation | PUB-ID: 2913892 OA
    Balluff J. Ab initio to application: antiferromagnetic Heusler compounds for spintronics. Bielefeld: Universität Bielefeld; 2017.
    PUB | PDF
     
  • [3]
    2017 | Zeitschriftenaufsatz | Veröffentlicht | PUB-ID: 2916509
    Balluff J, Huminiuc T, Meinert M, Hirohata A, Reiss G. Integration of antiferromagnetic Heusler compound Ru2MnGe into spintronic devices. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2017;111(3): 032406.
    PUB | DOI | WoS
     
  • [2]
    2017 | Zeitschriftenaufsatz | Veröffentlicht | PUB-ID: 2916495
    Balluff J, Diekmann K, Reiss G, Meinert M. High-throughput screening for antiferromagnetic Heusler compounds using density functional theory. PHYSICAL REVIEW MATERIALS. 2017;1(3): 034404.
    PUB | DOI | WoS
     
  • [1]
    2015 | Zeitschriftenaufsatz | Veröffentlicht | PUB-ID: 2901294
    Balluff J, Meinert M, Schmalhorst J-M, Reiss G, Arenholz E. Exchange bias in epitaxial and polycrystalline thin film Ru2MnGe/Fe bilayers. Journal of Applied Physics. 2015;118(24): 243907.
    PUB | DOI | WoS
     

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