Pairing of acceptors with interstitial donors in silicon and germanium
Deicher M, Keller R, Pfeiffer W, Skudlik H, Steiner D, Recknagel E, Wichert T (1989)
Mat. Sci. Engineering B 4(1-4): 25-29.
Zeitschriftenaufsatz
| Veröffentlicht | Englisch
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Autor*in
Deicher, M.;
Keller, R.;
Pfeiffer, WalterUniBi;
Skudlik, H.;
Steiner, D.;
Recknagel, E.;
Wichert, Th.
Erscheinungsjahr
1989
Zeitschriftentitel
Mat. Sci. Engineering B
Band
4
Ausgabe
1-4
Seite(n)
25-29
ISSN
0921-5107
Page URI
https://pub.uni-bielefeld.de/record/2316273
Zitieren
Deicher M, Keller R, Pfeiffer W, et al. Pairing of acceptors with interstitial donors in silicon and germanium. Mat. Sci. Engineering B. 1989;4(1-4):25-29.
Deicher, M., Keller, R., Pfeiffer, W., Skudlik, H., Steiner, D., Recknagel, E., & Wichert, T. (1989). Pairing of acceptors with interstitial donors in silicon and germanium. Mat. Sci. Engineering B, 4(1-4), 25-29. https://doi.org/10.1016/0921-5107(89)90210-9
Deicher, M., Keller, R., Pfeiffer, Walter, Skudlik, H., Steiner, D., Recknagel, E., and Wichert, Th. 1989. “Pairing of acceptors with interstitial donors in silicon and germanium”. Mat. Sci. Engineering B 4 (1-4): 25-29.
Deicher, M., Keller, R., Pfeiffer, W., Skudlik, H., Steiner, D., Recknagel, E., and Wichert, T. (1989). Pairing of acceptors with interstitial donors in silicon and germanium. Mat. Sci. Engineering B 4, 25-29.
Deicher, M., et al., 1989. Pairing of acceptors with interstitial donors in silicon and germanium. Mat. Sci. Engineering B, 4(1-4), p 25-29.
M. Deicher, et al., “Pairing of acceptors with interstitial donors in silicon and germanium”, Mat. Sci. Engineering B, vol. 4, 1989, pp. 25-29.
Deicher, M., Keller, R., Pfeiffer, W., Skudlik, H., Steiner, D., Recknagel, E., Wichert, T.: Pairing of acceptors with interstitial donors in silicon and germanium. Mat. Sci. Engineering B. 4, 25-29 (1989).
Deicher, M., Keller, R., Pfeiffer, Walter, Skudlik, H., Steiner, D., Recknagel, E., and Wichert, Th. “Pairing of acceptors with interstitial donors in silicon and germanium”. Mat. Sci. Engineering B 4.1-4 (1989): 25-29.
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