Magnetoresistive elements in combination with Schottky barriers on gallium arsenide

Bornemeier J (2005)
Bielefeld (Germany): Bielefeld University.

Bielefelder E-Dissertation | Englisch
 
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Autor*in
Bornemeier, Jan
Betreuer*in
Brückl, Hubert (PD Dr.)
Alternativer Titel
Magnetoresistive Elemente in Kombination mit Schottky-Barrieren auf Galliumarsenid
Abstract / Bemerkung
Magnetische Tunnelelemente kombiniert mit Schottky-Barrieren erlauben die Untersuchung ballistischer Ströme mit Energien um 1eV. Zu diesem Zwecke wurden TMR-Elemente mit dem folgenden Schichtstapel direkt auf n-Galliumarsenid gesputtert: 4-10nm Co/ 1.8nm Alox/ 4nm Py/ 12nm MnIr/ 50nm Cu/ 50nm Au. Der injizierte Strom ist, abhängig von der Kobaltdicke, 4-5 mal kleiner als der Tunnelstrom. Dieses, und die Tatsache, dass der Strom hochpolarisiert ist, macht TMR-Schottky-Hybridelemente zu idealen Spininjektoren. Durch eine Variation der Kobaltdicke können Spinabklinglängen bestimmt werden. Bei 1.2V Bias und 10K Temperatur beträgt diese für die Majoritätsladungsträger 6+/-0.9nm und für die Minoritätsladungsträger weniger als 2nm. Zusätzlich wurden BEEM Experimente an Spinvalves durchgeführt.

The combination of a magnetic tunnel junction and a Schottky barrier allows the observation of spin scattering of ballistic electrons at energies around 1eV. For this layer stacks of 4-10nm Co/ 1.8nm Alox/ 4nm Py/ 12nm MnIr/ 50nm Cu/ 50nm Au on (100)-GaAs are deposited and subsequently patterned by e-beam lithography. The injected current is (depending on the base thickness) 4-5 orders of magnitude smaller than the tunnel current. The adjustable current amplitude and the high spin polarization make these hybride junctions a promising candidate as spin injector into semiconductors. Varying the base thickness, the spin attenuation length of the majority electrons can be estimated to be 6+/-0.9nm and for minority electrons <2nm at 10K and 1.2V bias. Additionally BEEM experiments on spinvalves have been accomplished.
Stichworte
Galliumarsenid , Tunnelmagnetowiderstand , Schottky-Kontakt , Ballistische-Elektronen-Emissions-Mikroskopie , Ballistischer Effekt , TMR , Spinabklinglänge , MTT , Tunnel magnetoresistance (TMR) , Magnetic tunnel transistors (MTT)
Jahr
2005
Page URI
https://pub.uni-bielefeld.de/record/2305893

Zitieren

Bornemeier J. Magnetoresistive elements in combination with Schottky barriers on gallium arsenide. Bielefeld (Germany): Bielefeld University; 2005.
Bornemeier, J. (2005). Magnetoresistive elements in combination with Schottky barriers on gallium arsenide. Bielefeld (Germany): Bielefeld University.
Bornemeier, J. (2005). Magnetoresistive elements in combination with Schottky barriers on gallium arsenide. Bielefeld (Germany): Bielefeld University.
Bornemeier, J., 2005. Magnetoresistive elements in combination with Schottky barriers on gallium arsenide, Bielefeld (Germany): Bielefeld University.
J. Bornemeier, Magnetoresistive elements in combination with Schottky barriers on gallium arsenide, Bielefeld (Germany): Bielefeld University, 2005.
Bornemeier, J.: Magnetoresistive elements in combination with Schottky barriers on gallium arsenide. Bielefeld University, Bielefeld (Germany) (2005).
Bornemeier, Jan. Magnetoresistive elements in combination with Schottky barriers on gallium arsenide. Bielefeld (Germany): Bielefeld University, 2005.
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