Aufbau und Charakterisierung einer Undulatorbeamline bei BESSY II für EUV-Photoemissionsmikroskopie an organischen Nanoschichten und Nanoinseln auf Silizium

Pohl M (2002)
Bielefeld (Germany): Bielefeld University.

Bielefelder E-Dissertation | Deutsch
 
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Autor*in
Pohl, Martin
Gutachter*in / Betreuer*in
Heinzmann, Ulrich (Prof. Dr.)
Abstract / Bemerkung
Im Rahmen der vorliegenden Dissertation wurde eine Beamline mit Multilayer-Monochromator an dem linearen Undulator U125/1 bei BESSY II als Lichtquelle für Photoelektronen-Emissionsmikroskopie (PEEM) konstruiert und aufgebaut. Mit Hilfe einer Photodiode und eines Gitterspektrometers wurde die Beamline charakterisiert. Diese Messungen ergaben sehr hohe Photonenflüsse im Bereich der Si-L-Absorptionskante (100eV) und für die Photoemissionsmikroskopie ausreichende Flüsse im Bereich der C-K-Kante (284eV) und der Ti-L-Kante (460eV). Die spektrale Auflösung des Monochromators ist auf den Einsatz eines PEEMs abgestimmt. Für ein kommerzielles PEEM wurde eine Vakuumkammer mit Probenschleuse und Präparationskammer für Festkörper-Proben konstruiert und aufgebaut. Spektromikroskopische Untersuchungen der Schichtsysteme Cu/SiO2/Si und Cu auf SiO2/Si mit einer Zwischenschicht aus einem Self Assembled Monolayer (SAM) zur Interdiffusion von Cu und Si ergaben eine hemmende Wirkung eines SAMs aus Oktadecylsiloxan (ODS). Untersucht wurden geschlossene Schichten und Inselbedeckungen von ODS auf SiO2/Si nach verschiedenen Heizzyklen. Bei Inselbedeckungen auf vicinalen Si(111)-Wafern konnte gezeigt werden, dass Topologien der Oberfläche im Bereich von wenigen nm durch die Verteilung der Inseln im PEEM sichtbar gemacht werden können.
Stichworte
BESSY II , Photoemissionselektronenmikroskopie , Weiche Röntgenstrahlung , Mehrschichtsystem , Organosiloxane , Inselschicht , Undulatorbeamline , Photoelektronen-Emissionsmikroskopie , Interdiffusion , Vicinaler Wafer ,
Jahr
2002
Page URI
https://pub.uni-bielefeld.de/record/2301425

Zitieren

Pohl M. Aufbau und Charakterisierung einer Undulatorbeamline bei BESSY II für EUV-Photoemissionsmikroskopie an organischen Nanoschichten und Nanoinseln auf Silizium. Bielefeld (Germany): Bielefeld University; 2002.
Pohl, M. (2002). Aufbau und Charakterisierung einer Undulatorbeamline bei BESSY II für EUV-Photoemissionsmikroskopie an organischen Nanoschichten und Nanoinseln auf Silizium. Bielefeld (Germany): Bielefeld University.
Pohl, Martin. 2002. Aufbau und Charakterisierung einer Undulatorbeamline bei BESSY II für EUV-Photoemissionsmikroskopie an organischen Nanoschichten und Nanoinseln auf Silizium. Bielefeld (Germany): Bielefeld University.
Pohl, M. (2002). Aufbau und Charakterisierung einer Undulatorbeamline bei BESSY II für EUV-Photoemissionsmikroskopie an organischen Nanoschichten und Nanoinseln auf Silizium. Bielefeld (Germany): Bielefeld University.
Pohl, M., 2002. Aufbau und Charakterisierung einer Undulatorbeamline bei BESSY II für EUV-Photoemissionsmikroskopie an organischen Nanoschichten und Nanoinseln auf Silizium, Bielefeld (Germany): Bielefeld University.
M. Pohl, Aufbau und Charakterisierung einer Undulatorbeamline bei BESSY II für EUV-Photoemissionsmikroskopie an organischen Nanoschichten und Nanoinseln auf Silizium, Bielefeld (Germany): Bielefeld University, 2002.
Pohl, M.: Aufbau und Charakterisierung einer Undulatorbeamline bei BESSY II für EUV-Photoemissionsmikroskopie an organischen Nanoschichten und Nanoinseln auf Silizium. Bielefeld University, Bielefeld (Germany) (2002).
Pohl, Martin. Aufbau und Charakterisierung einer Undulatorbeamline bei BESSY II für EUV-Photoemissionsmikroskopie an organischen Nanoschichten und Nanoinseln auf Silizium. Bielefeld (Germany): Bielefeld University, 2002.
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