Plasmon enhanced resonant defect absorption in thin a-Si:H n-i-p devices

Lükermann F, Heinzmann U, Stiebig H (2012)
Appl. Phys. Lett. 100(25): 253907.

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Appl. Phys. Lett.
Band
100
Zeitschriftennummer
25
Artikelnummer
253907
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Lükermann F, Heinzmann U, Stiebig H. Plasmon enhanced resonant defect absorption in thin a-Si:H n-i-p devices. Appl. Phys. Lett. 2012;100(25): 253907.
Lükermann, F., Heinzmann, U., & Stiebig, H. (2012). Plasmon enhanced resonant defect absorption in thin a-Si:H n-i-p devices. Appl. Phys. Lett., 100(25), 253907. doi:10.1063/1.4730432
Lükermann, F., Heinzmann, U., and Stiebig, H. (2012). Plasmon enhanced resonant defect absorption in thin a-Si:H n-i-p devices. Appl. Phys. Lett. 100:253907.
Lükermann, F., Heinzmann, U., & Stiebig, H., 2012. Plasmon enhanced resonant defect absorption in thin a-Si:H n-i-p devices. Appl. Phys. Lett., 100(25): 253907.
F. Lükermann, U. Heinzmann, and H. Stiebig, “Plasmon enhanced resonant defect absorption in thin a-Si:H n-i-p devices”, Appl. Phys. Lett., vol. 100, 2012, : 253907.
Lükermann, F., Heinzmann, U., Stiebig, H.: Plasmon enhanced resonant defect absorption in thin a-Si:H n-i-p devices. Appl. Phys. Lett. 100, : 253907 (2012).
Lükermann, Florian, Heinzmann, Ulrich, and Stiebig, Helmut. “Plasmon enhanced resonant defect absorption in thin a-Si:H n-i-p devices”. Appl. Phys. Lett. 100.25 (2012): 253907.